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氮化镓(GaN)基材料及发光二极管(LED)产业化

2006-07-24 16:13:17
华夏经纬网

一、项目背景及企业背景

武汉大学研制的GaN基材料及发光二极管(LED)项目获国家两项专利,具有自主知识产权。(GaN)基材料是由镓、铟、铝和氮形成的化合物以及由它们组成的多元合金材料。GaN是极稳定的化合物,又是坚硬的高熔点材料和良好的涂层保护材料,非常适合制作从红光到紫外光的发光管或激光器,能够实现从单一基材上发射红、绿、蓝三基色光。以GaN基材料能制作发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和光电探测器等光子器件。其中用发光二极管(LED)制成的灯具体积更小、更轻,长度只有2毫米至20毫米,耗电量仅为同亮度白炽灯的10%,发光效率可提高10倍,使用寿命是普通灯泡的100倍。GaN基材料及发光二极管(LED)可作为全色显示屏和指示器、高效节能的交通信灯和可调色照明灯,广泛应用于航空信号灯、广告显示屏、大型场馆照明、家庭照明等众多领域。

 

二、市场分析

GaN基光电子材料应用广泛,仅显示器市场的销售就达数百亿美元。目前,传统的GRT显示器正受到液晶显示器(LCD)的巨大冲击,而以GaN基材料及发光二极器(LED)制成的平板显示器又必将取代CRTLCD成为显示器主流产品,市场开发潜力巨大,据国际权威机构(strategies unlimited)测算,我国GaN基的光子器件,2003年产值极近10亿美元,而2009年将达48亿美元,还不包括将来新开展的应用领域,所以,GaN基的光电子材料和器件产业化开发市场前景十分诱人。

 

三、项目规模及内容

该项目起点投资8000万元,方可进行全部GaN基材料及LED产业链开发,资金投入的绝大部分可集中在上游发光蕊片产业应用开发上。

 

四、项目投资及其构成:8000万元。

 

五、效益预测:建成后,年产值可达5亿元,是一个高科技含量、高附加值、极具市场前景的尖端高科技产业化项目。

 

六、合作方式:武大以专利技术入股,实行股份合作制。

 

七、项目进展:正在武大(随州)科技园完成土地征用和“三通一平”工作,即水通、路通、电通和土地平整。

 

八、联系方式 

招商单位:湖北省随州市商务局

人:何敬国

通信地址:湖北省随州市政府办公大楼二楼

    话:13908669188

  
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