摄影/侯艺兵

  　　2005年7月6日，世界著名物理学家黄昆因病医治无效，在北京逝世，享年86岁。  
 
    黄昆院士 男 1919年9月出生于北京，1941年毕业于燕京大学物理系。1945年赴英国留学，1948年获英国布里斯托(Bristol)大学哲学博士学位，1949年－1951年在英国利物浦大学理论物理系任博士后研究员，1951-1977年在北京大学物理系任教授，1977-1983年任中国科学院半导体研究所所长，1983年至今，任名誉所长。1987-1991年曾任中国物理学会理事长。他先后被选为中国科学院学部委员(院士)(1955年)，瑞典皇家科学院外籍院士(1980年)，第三世界科学院院士(1985年)。

    黄昆院士是世界著名的物理学家，他对固体物理学作出了许多开拓性的重大贡献。是我国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一。他从理论上预言了与晶格中杂质有关的X光漫散射，以后被称为“黄散射”。这个理论在六十年代获实验证实，“黄散射”已发展成为一种能直接研究固体中微观缺陷的有效手段。他的多声子跃迁理论，以“黄－里斯因子”而著称于世。他提出关于描述晶体中光学位移、宏观电场与电极化三者关系的“黄方程”和由此引伸的电磁波与晶格振动的耦合，即后来称为极化激元的重要概念。他与M.Born合著的《晶格动力学理论》一书，是一部有世界影响的经典性科学专著。他的理论对信息产业(特别是光电子产业)具有重要的现实指导意义，产生着越来越深远的影响。近年来，他与合作者对半导体超晶格的电子态和声子模开展了系统而富有成效的研究。

    半个世纪以来，他不仅对固体物理做出了重要贡献。同时，还对高等学校中普通物理、固体物理和半导体物理的教学做出了十分重要的贡献。

    黄昆院士热爱祖国，热爱科技事业，辛勤开拓，奋斗不息，为创建和发展我国半导体科技事业作出重要贡献。

    黄昆院士同时是我国半导体科技界的一代宗师，培养了一批又一批国家科技栋梁之才。

    2002年为表彰黄昆院士在固体物理学领域的杰出成就和贡献，黄昆院士荣获2001年度国家最高科学技术奖。荣获1995年度何梁何利基金科学与技术成就奖。